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美光推出176层3D NAND Flash，新技术新架构
据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
美光公司的上一代3D NAND采用的是128层设计，这是它们的短暂过渡节点，可帮助他们解决向陷阱闪存切换碰到的任何问题。美光的128L闪存在市场上的占有率极低，因此在许多情况下，他们的新型176L闪存也将替代其96L 3D NAND。
根据报道，美光并没有披露其176L NAND的更多技术细节。但就目前而言，我们知道他们的**个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠（string stacking ）构建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少层NAND闪存单元而言，美光现在似乎仅次于三星。
报道进一步指出，在使用电荷陷阱单元设计替代栅极设计之后，美光似乎已大大降低了闪存每一层的厚度。数据显示，176L裸片的厚度仅为45μm，总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。
而一个16 die堆叠式封装的厚度不到1.5mm，这适合大多数移动和存储卡使用场景。与上一代的Micron 3D NAND一样，芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的，Micron将该技术称为“CMOS under Array”（CuA）。这帮助美光带来了一些**小的裸片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit裸片比其竞争对手目前提供的**佳裸片小约30％。
从报道我们还可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度为1600MT / s，高于其96L和128L闪存的1200MT / s。比其他解决方案高33％。就容量而言，176层管芯可以容纳20-30小时的1920x1080p视频，。
与96L NAND相比，读（写）延迟改善了35％以上，与128L NAND相比，改善了25％以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光科技的总体混合工作负载改善了约15％。
美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工厂制造，并已经开始批量生产，并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是，美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND（就此而言，则使用其128L NAND），因此我们希望目前这是一个相当小批量的产品。
尽管如此，在明年，我们应该能看到美光176L NAND电磁辐射越强的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平，并且我们可以期望发布基于此176L NAND的各种各样的产品，并取代大多数使用其96L NAND的产品。
美光方面表示，公司的176层NAND具有里程碑式的意义，这有几个原因。一方面，该技术的密度是早期3D NAND设计的近10倍，这就意味着智能手机可以做更多的事情，可以存储更多的东西；其次，对于更多的人来说价格甚至更低，从而改善了他们的日常生活。
他们进一步支持，这种新型176层器件不仅比以前的器件密度更高，而且还通过创新的电路设计融合了业界**高的数据传输速率。美光公司的工程师设计并建造了这种**密度存储，同时对NAND进行了重大的架构更改，这将使下游设备的创新在未来数年内得以实现。
